从湖北省科技厅获悉，近日，九峰山实验室在超宽禁带半导体领域取得进展，成功研制出基于国产同质外延片的击穿电压超过9kV的氧化镓横向MOSFET。

  氧化镓被公认为下一代高压功率器件的理想材料。受限于材料与工艺，此前公开的氧化镓MOSFET击穿电压多数低于4000V。九峰山实验室团队通过双层源场板结构设计，有效调制器件内部电场分布，成功实现9.02 kV的击穿电压。

  目前，九峰山实验室已具备氧化镓器件研发与流片能力，对外提供氧化镓衬底与外延片、氧化镓科研级单管销售，以及器件流片服务。（姜胜来）